【晶体管 - FET，MOSFET - 单_NTD14N03RT4G】封装/厂家_NTD14N03RT4G中文资料_价格

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型号： NTD14N03RT4G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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NTD14N03RT4G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD14N03RT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD14N03RT4G价格参考。ON SemiconductorNTD14N03RT4G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 25V 2.5A（Ta） 1.04W（Ta），20.8W（Tc） DPAK。您可以下载NTD14N03RT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD14N03RT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAKMOSFET 25V 14A N-Channel
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	14 A
Id-连续漏极电流	14 A
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD14N03RT4G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	NTD14N03RT4G
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	1.56 W
Pd-功率耗散	1.56 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	70.4 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	70.4 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	25 V
Vds-漏源极击穿电压	25 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	27 ns
下降时间	27 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	115pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	1.8nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	95 毫欧 @ 5A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	DPAK-3
其它名称	NTD14N03RT4GOS NTD14N03RT4GOS-ND NTD14N03RT4GOSTR
典型关闭延迟时间	9.6 ns
功率-最大值	1.04W
功率耗散	1.56 W
包装	带卷（TR）
商标	ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	70.4 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	2,500
正向跨导-最小值	7 S
汲极/源极击穿电压	25 V
漏极连续电流	14 A
漏源极电压(Vdss)	25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	2.5A （Ta）
系列	NTD14N03R
通道模式	Enhancement
配置	Single
闸/源击穿电压	+/- 20 V

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