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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD110N02RT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD110N02RT4G价格参考¥0.94-¥2.27。ON SemiconductorNTD110N02RT4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 24V 12.5A(Ta),110A(Tc) 1.5W(Ta),110W(Tc) DPAK。您可以下载NTD110N02RT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD110N02RT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAKMOSFET 24V 110A N-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
Id-连续漏极电流 | 110 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD110N02RT4G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTD110N02RT4G |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2.88 W |
Pd-功率耗散 | 2.88 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.1 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.1 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 24 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 24 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 39 ns |
下降时间 | 21 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3440pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.6 毫欧 @ 20A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | NTD110N02RT4GOSCT |
典型关闭延迟时间 | 27 ns |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 44 S |
漏源极电压(Vdss) | 24V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12.5A (Ta), 110A (Tc) |
系列 | NTD110N02R |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |