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  • 型号: NTD110N02RT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD110N02RT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD110N02RT4G价格参考¥0.94-¥2.27。ON SemiconductorNTD110N02RT4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 24V 12.5A(Ta),110A(Tc) 1.5W(Ta),110W(Tc) DPAK。您可以下载NTD110N02RT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD110N02RT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAKMOSFET 24V 110A N-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

110 A

Id-连续漏极电流

110 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD110N02RT4G-

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产品型号

NTD110N02RT4G

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.88 W

Pd-功率耗散

2.88 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.1 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

24 V

Vds-漏源极击穿电压

24 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

39 ns

下降时间

21 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3440pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

28nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.6 毫欧 @ 20A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

NTD110N02RT4GOSCT

典型关闭延迟时间

27 ns

功率-最大值

1.5W

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

44 S

漏源极电压(Vdss)

24V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12.5A (Ta), 110A (Tc)

系列

NTD110N02R

通道模式

Enhancement

配置

Single

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