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  • 型号: NTB6412ANT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
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NTB6412ANT4G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTB6412ANT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB6412ANT4G价格参考。ON SemiconductorNTB6412ANT4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 58A(Tc) 167W(Tc) D2PAK。您可以下载NTB6412ANT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTB6412ANT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 58A D2PAKMOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

41 A

Id-连续漏极电流

41 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTB6412ANT4G-

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产品型号

NTB6412ANT4G

Pd-PowerDissipation

167 W

Pd-功率耗散

167 W

Qg-GateCharge

100 nC

Qg-栅极电荷

100 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

18.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

18.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

140 ns

下降时间

126 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

100nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

18.2 毫欧 @ 58A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

NTB6412ANT4GOSDKR

典型关闭延迟时间

70 ns

功率-最大值

167W

功率耗散

167 W

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

18.2 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

100 nC

标准包装

1

正向跨导-最小值

31 S

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

41 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

58A (Tc)

系列

NTB6412AN

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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