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  • 型号: NTB5605PT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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NTB5605PT4G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTB5605PT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB5605PT4G价格参考。ON SemiconductorNTB5605PT4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 60V 18.5A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载NTB5605PT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTB5605PT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAKMOSFET -60V -18.5A P-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 18.5 A

Id-连续漏极电流

- 18.5 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTB5605PT4G-

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产品型号

NTB5605PT4G

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

88 W

Pd-功率耗散

88 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

120 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

120 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

122 ns

下降时间

75 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1190pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

22nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

140 毫欧 @ 8.5A,5V

产品种类

MOSFETs- Power and Small Signal

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

NTB5605PT4GOSCT

典型关闭延迟时间

29 ns

功率-最大值

88W

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

12 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

18.5A (Ta)

系列

NTB5605P

通道模式

Enhancement

配置

Single

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