ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > NTB5605PG
Datasheet下载- 型号： NTB5605PG
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB5605PG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB5605PG价格参考。ON SemiconductorNTB5605PG封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 18.5A（Ta） 88W（Tc） D2PAK。您可以下载NTB5605PG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB5605PG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB5605PG是由ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款器件主要应用于需要高效开关和功率管理的场景中，广泛适用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域。 应用场景： 1. 电源管理与转换： - NTB5605PG常用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电池充电器等电路中。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少导通损耗，提高效率，尤其适合便携式设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。 2. 电机驱动： - 在小型直流电机或步进电机驱动电路中，该MOSFET可以作为开关元件来控制电机的启停及转速调节。它具备快速切换能力，有助于降低电磁干扰并提升系统响应速度。 3. 负载开关： - 用作负载开关时，NTB5605PG能够在主电源和负载之间提供隔离功能，确保在非工作状态下切断电流路径，从而节省能耗。这在多路输出电源设计中非常有用。 4. 保护电路： - 它还可以集成到过流保护、短路保护等安全机制中，当检测到异常情况时迅速断开电路连接，保护后续组件免受损害。 5. 信号调理： - 对于某些模拟信号处理任务，例如缓冲放大或者电平转换，NTB5605PG同样能发挥重要作用。凭借其良好的线性度和高输入阻抗特性，可实现精确的电压跟随或比例变换。 总之，NTB5605PG凭借其出色的电气性能，在众多需要高效、可靠电力传输与控制的应用场合表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB5605PG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1190pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 140 毫欧 @ 8.5A，5V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 88W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18.5A （Ta） |
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