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NTB45N06LT4G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB45N06LT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB45N06LT4G价格参考。ON SemiconductorNTB45N06LT4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 45A(Ta) 2.4W(Ta),125W(Tj) D2PAK。您可以下载NTB45N06LT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTB45N06LT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB45N06LT4G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - NTB45N06LT4G 的低导通电阻(Rds(on) = 12 mΩ 典型值)和高电流能力(Id = 93 A 峰值)使其非常适合用于高效电源管理应用,例如: - 开关电源 (SMPS) - DC-DC 转换器 - 降压/升压转换器 - 电池充电管理 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于驱动小型至中型电机,适用于以下场景: - 无刷直流电机 (BLDC) 驱动 - 步进电机控制 - 直流电机速度调节 3. 负载开关 - 在需要快速开关和低功耗的场景中,NTB45N06LT4G 可作为高效的负载开关使用,例如: - 移动设备中的电源管理 - 工业自动化设备中的负载控制 4. 逆变器和太阳能系统 - 由于其耐压能力(Vds = 60 V)和高效性能,该器件适用于: - 小型逆变器设计 - 太阳能微逆变器或优化器 5. 汽车电子 - NTB45N06LT4G 的耐用性和可靠性使其适合汽车领域的应用,例如: - 电动车窗和座椅调节 - 车载充电器 - LED 照明驱动 6. 保护电路 - 该 MOSFET 可用作保护开关,防止过流、短路等故障,例如: - 过流保护 - 热插拔保护 总结 NTB45N06LT4G 的高性能参数(低 Rds(on)、高 Id 和适中的 Vds)使其成为多种功率转换和控制应用的理想选择,尤其是在需要高效能和小尺寸解决方案的情况下。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 45A D2PAKMOSFET 60V 45A N-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 45 A |
Id-连续漏极电流 | 45 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTB45N06LT4G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTB45N06LT4G |
Pd-PowerDissipation | 125 W |
Pd-功率耗散 | 125 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 28 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 28 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
上升时间 | 341 ns |
下降时间 | 158 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 28 毫欧 @ 22.5A,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | NTB45N06LT4GOSCT |
典型关闭延迟时间 | 36 ns |
功率-最大值 | 2.4W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 22.8 S |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 45A (Ta) |
系列 | NTB45N06L |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |