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NTB35N15T4G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB35N15T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB35N15T4G价格参考。ON SemiconductorNTB35N15T4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 37A(Ta) 2W(Ta),178W(Tj) D2PAK。您可以下载NTB35N15T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTB35N15T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NTB35N15T4G是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于多种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS):NTB35N15T4G适用于各种开关电源设计,如AC-DC和DC-DC转换器。它能够高效地进行高频开关操作,减少能量损耗,提高转换效率。该器件具有较低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提升系统的整体性能。 2. 电机驱动:在电机控制应用中,这款MOSFET可以用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)。其快速开关特性和低导通电阻使其非常适合用于PWM(脉宽调制)控制,以实现精确的速度调节和高效的能量传输。 3. 电池管理系统(BMS):NTB35N15T4G可用于保护电路,确保电池组的安全运行。它可以作为充电/放电路径中的开关元件,防止过流、短路等异常情况的发生。此外,该器件还可以用于均衡电路,确保各个电池单元之间的电压一致,延长电池寿命。 4. 逆变器和UPS系统:在不间断电源(UPS)和逆变器中,这款MOSFET可以用于功率级电路,提供高效的电能转换。它能够在高压和大电流条件下稳定工作,保证系统的可靠性和稳定性。 5. 汽车电子:NTB35N15T4G符合AEC-Q101标准,适用于汽车电子领域。它可以用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、车身控制系统等应用,确保在恶劣环境下的可靠性和安全性。 总之,NTB35N15T4G凭借其出色的电气性能和可靠性,成为众多电力电子应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 150V 37A D2PAKMOSFET 150V 37A N-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 37 A |
Id-连续漏极电流 | 37 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTB35N15T4G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTB35N15T4G |
Pd-PowerDissipation | 178 W |
Pd-功率耗散 | 178 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 125 ns |
下降时间 | 120 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 18.5A,10V |
产品种类 | MOSFETs- Power and Small Signal |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | NTB35N15T4GOSCT |
典型关闭延迟时间 | 90 ns |
功率-最大值 | 2W |
功率耗散 | 178 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 50 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 26 S |
汲极/源极击穿电压 | 150 V |
漏极连续电流 | 37 A |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 37A (Ta) |
系列 | NTB35N15 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |