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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB35N15T4由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB35N15T4价格参考。ON SemiconductorNTB35N15T4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 37A(Ta) 2W(Ta),178W(Tj) D2PAK。您可以下载NTB35N15T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTB35N15T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的NTB35N15T4是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS):NTB35N15T4具有低导通电阻和高击穿电压(150V),适合用于开关电源中的功率转换级。它能够高效地处理高频开关操作,适用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等。 2. 电机驱动:该MOSFET可用于驱动小型直流电机或步进电机。其低导通电阻(Rds(on))可以减少功耗并提高效率,同时支持较高的电流负载。 3. 逆变器:在光伏逆变器或其他类型的逆变器中,NTB35N15T4可以用作功率开关器件,帮助实现电能从直流到交流的转换。 4. 负载切换:由于其快速开关特性和良好的热性能,这款MOSFET非常适合用作负载切换开关,在汽车电子、工业控制和其他需要频繁开启/关闭大电流负载的应用中表现优异。 5. 电池管理系统(BMS):在电动汽车、储能系统等领域,NTB35N15T4可用作电池组的保护开关,确保过流、短路等情况下的安全运行。 6. LED驱动器:对于高亮度LED照明应用,这款MOSFET可以提供稳定高效的电流调节功能,保证LED正常工作的同时降低能耗。 7. 电信与网络设备:在基站、路由器等通信设备中,作为功率管理的一部分,NTB35N15T4有助于优化能源使用并维持系统稳定性。 总之,凭借其出色的电气特性和可靠性,NTB35N15T4广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTB35N15T4 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 18.5A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | NTB35N15T4OS |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 37A (Ta) |