ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > NSVMUN5333DW1T1G
Datasheet下载- 型号： NSVMUN5333DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMUN5333DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMUN5333DW1T1G价格参考￥0.52-￥0.52。ON SemiconductorNSVMUN5333DW1T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NSVMUN5333DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMUN5333DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSVMUN5333DW1T1G 是由 ON Semiconductor 生产的晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置型号。它主要应用于需要高性能、低功耗和高可靠性的电子电路中，特别是在电信、消费电子、工业控制和汽车电子等领域。 该型号晶体管阵列具有以下特点： 1. 预偏置设计：内置预设偏置电压，简化了电路设计，减少了外部元件数量，提高了系统的稳定性和可靠性。 2. 低饱和电压：在大电流条件下，晶体管的饱和电压较低，有助于减少功率损耗，提高效率，适用于开关电源、电机驱动等应用。 3. 高电流承载能力：能够承受较大的电流，适用于负载驱动、电源管理等场景。 4. 快速开关特性：具备较快的开关速度，适合高频信号处理和脉宽调制（PWM）等应用。 5. 紧凑封装：采用小型化封装，节省了PCB空间，便于在紧凑型设备中使用。 具体应用场景包括： - 电源管理：用于开关电源、线性稳压器等，提供高效的电源转换和稳定的输出电压。 - 电机驱动：适用于步进电机、直流电机等驱动电路，确保电机平稳运行。 - 信号放大：用于音频放大器、传感器信号调理等，提供高增益和低噪声性能。 - 保护电路：作为过流保护、短路保护等电路中的关键元件，确保系统安全可靠。 - 通信设备：用于基站、路由器等通信设备中的信号处理和传输，保证信号的完整性和稳定性。 总之，NSVMUN5333DW1T1G 晶体管阵列凭借其优异的性能和可靠性，广泛应用于各种对性能要求较高的电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR DUAL 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor NSVMUN5333DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSVMUN5333DW1T1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhm |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 187 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | MUN5333DW1 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | - |
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