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  • 型号: NSVMUN5212DW1T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMUN5212DW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMUN5212DW1T1G价格参考。ON SemiconductorNSVMUN5212DW1T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSVMUN5212DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSVMUN5212DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NSVMUN5212DW1T1G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 300µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 5mA,10V

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

功率-最大值

250mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

晶体管类型

2 个 NPN 预偏压式(双)

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

22k

电阻器-基底(R1)(Ω)

22k

频率-跃迁

-

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