Datasheet下载- 型号： NSVMMUN2212LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMMUN2212LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMMUN2212LT1G价格参考￥0.41-￥2.14。ON SemiconductorNSVMMUN2212LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVMMUN2212LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMMUN2212LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSVMMUN2212LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的预偏置双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。该型号基于经典的 2N2222 晶体管设计，具有 NPN 结构，广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 - NSVMMUN2212LT1G 常用于音频、射频和其他低功率信号的放大。 - 在音频设备中，可作为前置放大器或驱动级晶体管，提升信号强度而不失真。 - 其高频特性使其适合于射频信号的小信号放大。 2. 开关应用 - 作为开关元件，该晶体管可用于控制 LED、继电器、小型电机等负载。 - 在数字电路中，可以用作简单的逻辑电平转换或驱动高电流负载。 - 预偏置设计简化了电路设计，减少了外部偏置电阻的需求。 3. 脉宽调制 (PWM) 控制 - 在 PWM 应用中，该晶体管可以调节输出电压或电流，例如在 DC-DC 转换器或简易调光电路中。 - 它适用于低功率场合，如电池供电设备中的电源管理。 4. 传感器接口 - 用于将传感器的微弱信号放大到可检测的水平，例如温度传感器、光电二极管等。 - 可作为缓冲器，隔离敏感的传感器与后续电路。 5. 通信与无线设备 - 在低功率无线电模块中，可用作射频信号的调制或解调元件。 - 其稳定的增益和频率响应使其适合于短距离无线通信应用。 6. 教育与实验 - 由于其经典设计和广泛应用，NSVMMUN2212LT1G 常被用于教学实验和原型开发。 - 学生和工程师可以通过它学习 BJT 的基本工作原理和实际应用。 总结 NSVMMUN2212LT1G 的典型应用场景包括信号放大、开关控制、PWM 调制、传感器接口以及通信设备等。其预偏置特性简化了电路设计，同时继承了 2N2222 的高性能和可靠性，是一款经济实用的通用晶体管。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 50V SOT23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSVMMUN2212LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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