Datasheet下载- 型号： NSVMMUN2131LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMMUN2131LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMMUN2131LT1G价格参考￥0.18-￥0.18。ON SemiconductorNSVMMUN2131LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVMMUN2131LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMMUN2131LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSVMMUN2131LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的预偏置双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。以下是其可能的应用场景： 1. 信号放大 - 该晶体管适用于低噪声、高增益的信号放大电路，例如音频信号放大器或射频（RF）信号放大器。 - 预偏置设计使其在特定工作条件下能够稳定运行，适合需要精确控制增益和带宽的应用。 2. 开关应用 - NSVMMUN2131LT1G 可用于高速开关电路中，例如驱动继电器、LED 或小型电机。 - 其预偏置特性有助于简化电路设计，减少外部元件数量，提高可靠性。 3. 电源管理 - 在直流-直流转换器或线性稳压器中，该晶体管可以用作电流调节器或电压缓冲器。 - 它能够在低功耗条件下提供稳定的电流输出，适用于便携式设备或电池供电系统。 4. 传感器接口 - 该晶体管可以作为传感器信号的放大或驱动元件，用于温度传感器、压力传感器或其他模拟信号处理场景。 - 预偏置功能确保了其在弱信号输入时的灵敏度和稳定性。 5. 通信设备 - 在通信领域，NSVMMUN2131LT1G 可用于调制解调器、收发器等设备中的信号调理电路。 - 其高频性能和低失真特性使其成为射频前端的理想选择。 6. 工业控制 - 该晶体管可用于工业自动化设备中的驱动电路，例如步进电机控制器或电磁阀驱动器。 - 预偏置设计提高了其抗干扰能力，适合复杂电磁环境下的工业应用。 总结 NSVMMUN2131LT1G 的预偏置特性使其在多种电子电路中表现出色，尤其是在需要高精度、低功耗和稳定工作的场景下。它广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和传感器技术等领域。具体应用时需根据实际需求选择合适的外围电路以充分发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP 50V SOT23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSVMMUN2131LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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