ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > NSVMMBT6429LT1G
Datasheet下载- 型号： NSVMMBT6429LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMMBT6429LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMMBT6429LT1G价格参考。ON SemiconductorNSVMMBT6429LT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 45V 200mA 700MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3（TO-236）。您可以下载NSVMMBT6429LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMMBT6429LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSVMMBT6429LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。其具体型号为 MMBT6429，采用 SOT-23 封装形式，具有小尺寸、高可靠性和优异的电气性能，适用于多种电子电路设计。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电路 - NSVMMBT6429LT1G 常用于低功率开关应用中，例如驱动继电器、LED 或小型电机。由于其快速开关特性和低饱和电压，能够高效地控制负载的通断。 2. 信号放大 - 在音频设备或传感器信号处理中，该晶体管可以用作信号放大器。它适合对微弱电信号进行线性放大，从而提高信号强度以供后续处理。 3. 电源管理 - 该晶体管可用于简单的稳压电路或电流限制电路中。通过调节基极电流，可以实现对输出电压或电流的精确控制。 4. 逻辑电平转换 - 在不同电压系统的接口设计中，NSVMMBT6429LT1G 可用于将低电平信号转换为高电平信号，或者反之。 5. 保护电路 - 它可以作为过流保护或短路保护电路中的关键元件，当检测到异常电流时，迅速切断电路以保护其他组件。 6. 无线通信与射频应用 - 虽然不是专门的射频晶体管，但在某些低频段的无线模块中，也可以用作小信号放大或调制解调功能的一部分。 性能特点： - 封装：SOT-23，体积小巧，适合高密度设计。 - 工作电压：高达 40V，适用于大多数低压系统。 - 集电极电流：最大 200mA，适合低功耗场景。 - 增益（hFE）：在典型条件下提供较高的电流增益，确保稳定的工作性能。 综上所述，NSVMMBT6429LT1G 广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域，尤其适合需要高性能和紧凑设计的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 45V SOT23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSVMMBT6429LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 500 @ 100µA， 5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 频率-跃迁 | 700MHz |
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