ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > NSVMMBT589LT1G
Datasheet下载- 型号： NSVMMBT589LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMMBT589LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMMBT589LT1G价格参考。ON SemiconductorNSVMMBT589LT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 30V 1A 100MHz 310mW 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载NSVMMBT589LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMMBT589LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSVMMBT589LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类型。其具体型号为 MMBT589，采用 SOT-23 封装形式。这款晶体管广泛应用于各种低功率电子电路中，以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 - NSVMMBT589LT1G 可用于音频信号放大器中，作为前置放大级或中间放大级的元件。 - 它能够将微弱的输入信号（如麦克风信号）放大到适合后续处理的电平。 2. 开关应用 - 该晶体管可用作开关元件，在数字电路中实现逻辑控制功能。 - 例如，在 LED 驱动电路中，通过控制基极电流来开启或关闭 LED。 3. 射频（RF）和无线通信 - 由于其高频特性，NSVMMBT589LT1G 可用于低功率射频电路中，例如调制解调器、无线发射器或接收器中的信号处理部分。 4. 传感器接口 - 在传感器信号调理电路中，这款晶体管可以用来放大来自传感器的微弱信号，以便进一步处理或显示。 5. 电源管理 - 适用于小型电源管理模块中的电流控制或电压调节功能。 - 例如，在电池充电保护电路中，用作电流限制开关。 6. 脉宽调制（PWM）驱动 - 在电机控制或风扇速度调节等 PWM 应用中，NSVMMBT589LT1G 可以作为驱动级晶体管，根据 PWM 信号调整负载电流。 特性总结： - 封装：SOT-23，体积小，适合高密度设计。 - 工作频率：支持高频应用，适用于需要快速响应的场景。 - 低功耗：适合便携式设备和电池供电产品。 总之，NSVMMBT589LT1G 因其小巧的封装、良好的电气性能以及可靠性，成为许多消费类电子产品、工业设备和通信系统中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS SW PNP 30V 2A SOT-23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSVMMBT589LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 650mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 500mA，2V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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