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产品简介:
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NSVBC858CLT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号的 BJT 主要应用于以下场景: 1. 开关应用 - NSVBC858CLT1G 可用作电子开关,广泛应用于数字电路中。其低饱和电压和快速开关特性使其适合驱动继电器、LED、小型电机等负载。 - 在电源管理电路中,可作为 MOSFET 的驱动级或用于简单的 DC-DC 转换器。 2. 信号放大 - 该晶体管适用于音频信号放大器中的前置放大级或中间放大级。其高增益特性(典型 hFE 值)使其能够有效地放大弱信号。 - 在通信设备中,可用于射频(RF)信号的小信号放大。 3. 线性稳压器 - 在线性稳压器中,NSVBC858CLT1G 可作为调整管,帮助稳定输出电压。其额定电流能力(Ic = 800mA)和耐压能力(Vceo = 80V)使其适合低压差稳压器设计。 4. 保护电路 - 用于过流保护、过压保护或短路保护电路中。例如,在电池管理系统中,可以作为限流元件或检测元件的一部分。 - 在汽车电子中,可用于保护负载免受瞬态电压冲击。 5. 传感器接口 - 在工业自动化和物联网(IoT)领域,NSVBC858CLT1G 可用于将传感器输出信号转换为更大的电流或电压信号,以便后续处理或驱动外部设备。 6. 电机控制 - 适用于小型直流电机的启动、停止或速度控制。通过 PWM(脉宽调制)信号驱动该晶体管,可以实现对电机转速的精确控制。 7. 其他通用应用 - 在消费电子产品中,如家用电器、玩具、遥控器等,可以用作简单的驱动或控制元件。 - 在教育和实验环境中,由于其性能稳定且易于使用,常被用于教学和开发项目。 总之,NSVBC858CLT1G 凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于各种需要中小功率信号处理或驱动的场合。在实际使用中,需根据具体电路需求选择合适的偏置条件和外围元件,以确保晶体管工作在最佳状态。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PNP 30V 100MA SOT23-3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NSVBC858CLT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 420 @ 2mA,5V |
供应商器件封装 | SOT-23 |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | PNP |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 15nA (ICBO) |
频率-跃迁 | 100MHz |