ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > NSV40301MZ4T1G
Datasheet下载- 型号： NSV40301MZ4T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSV40301MZ4T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSV40301MZ4T1G价格参考。ON SemiconductorNSV40301MZ4T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 40V 3A 215MHz 800mW 表面贴装 SOT-223。您可以下载NSV40301MZ4T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSV40301MZ4T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSV40301MZ4T1G是由ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款双极晶体管（BJT），具体属于NPN型晶体管。这款晶体管具有低饱和电压、高电流增益和快速开关特性，适用于多种电子电路设计，尤其适合用于需要高效能和稳定性的应用场景。 应用场景： 1. 电源管理： - NSV40301MZ4T1G常用于线性稳压器、DC-DC转换器等电源管理系统中，作为开关元件或驱动元件。其低饱和电压特性有助于提高电源效率，减少功率损耗。 2. 电机控制： - 在小型电机驱动电路中，该晶体管可以用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性能够有效减少电机运行时的能耗和发热。 3. 信号放大： - 由于其高电流增益特性，NSV40301MZ4T1G也适用于音频放大器、传感器信号放大等应用，能够在保持信号完整性和精度的同时，提供足够的输出功率。 4. 保护电路： - 在过流保护、短路保护等电路中，该晶体管可以作为检测和响应元件，当电流超过设定阈值时，迅速切断电路，保护其他关键组件免受损坏。 5. 通信设备： - 在无线通信模块、调制解调器等设备中，NSV40301MZ4T1G可用于射频前端电路中的开关和放大功能，确保信号传输的稳定性和可靠性。 6. 消费电子产品： - 在智能手机、平板电脑、智能家电等消费电子产品中，该晶体管广泛应用于内部电源管理、接口控制等功能模块，帮助实现高效能与低功耗的设计目标。 总之，NSV40301MZ4T1G凭借其优异的电气性能和可靠性，在各类工业、消费及通信领域中有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 3A 40V SOT223-4 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSV40301MZ4T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 300mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1A，1V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 215MHz |
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