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  • 型号: NSV1C201MZ4T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSV1C201MZ4T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSV1C201MZ4T1G价格参考。ON SemiconductorNSV1C201MZ4T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 100V 2A 100MHz 800mW 表面贴装 SOT-223(TO-261)。您可以下载NSV1C201MZ4T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSV1C201MZ4T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 100V 2A SOT223-4

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NSV1C201MZ4T1G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

180mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 500mA,2V

供应商器件封装

*

功率-最大值

800mW

包装

*

安装类型

*

封装/外壳

*

晶体管类型

NPN

标准包装

1,000

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

频率-跃迁

100MHz

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