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型号： NSV1C200MZ4T1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NSV1C200MZ4T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSV1C200MZ4T1G价格参考。ON SemiconductorNSV1C200MZ4T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 PNP 100V 2A 120MHz 800mW 表面贴装 SOT-223。您可以下载NSV1C200MZ4T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSV1C200MZ4T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NSV1C200MZ4T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的 200V 高效 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该元器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点，适用于多种电力电子应用领域。

 应用场景：

1. 电源管理：
   NSV1C200MZ4T1G 常用于开关电源（SMPS）中，作为主开关管或同步整流管。其低导通电阻特性有助于降低功耗，提高转换效率。适用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等设备，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。

2. 电机驱动：
   在电机控制系统中，MOSFET 是关键元件之一。NSV1C200MZ4T1G 可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机（BLDC）。其快速开关特性和低损耗使其适合高频驱动应用，能够有效减少发热并提高系统响应速度。

3. 电池管理系统（BMS）：
   在电池管理系统中，MOSFET 用于电池充放电控制和保护电路。NSV1C200MZ4T1G 的高耐压和低导通电阻特性使其能够在高压电池组中稳定工作，确保电池的安全性和延长使用寿命。适用于电动汽车、储能系统和便携式电子设备。

4. 逆变器和变频器：
   在光伏逆变器和工业变频器中，MOSFET 是核心功率器件之一。NSV1C200MZ4T1G 的高效开关性能和高可靠性使其成为这些应用的理想选择。它能够处理高电压和大电流，同时保持较低的热损耗，确保系统的高效运行。

5. 汽车电子：
   在汽车电子系统中，如电动助力转向（EPS）、车载充电器（OBC）和LED照明系统，NSV1C200MZ4T1G 可提供稳定的功率输出和高效的能量转换。其符合AEC-Q101标准，具备良好的抗干扰能力和环境适应性，适用于严苛的车载环境。

总之，NSV1C200MZ4T1G 凭借其卓越的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要高效功率转换和精确控制的应用场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PNP 100V 2A SOT223
产品分类	晶体管(BJT) - 单路
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NSV1C200MZ4T1G
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	220mV @ 200mA，2A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	120 @ 500mA，2V
供应商器件封装	*
功率-最大值	800mW
包装	*
安装类型	*
封装/外壳	*
晶体管类型	PNP
标准包装	1,000
电压-集射极击穿（最大值）	100V
电流-集电极(Ic)（最大值）	2A
电流-集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
频率-跃迁	120MHz