ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > NSV1C200MZ4T1G
Datasheet下载- 型号： NSV1C200MZ4T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSV1C200MZ4T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSV1C200MZ4T1G价格参考。ON SemiconductorNSV1C200MZ4T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 100V 2A 120MHz 800mW 表面贴装 SOT-223。您可以下载NSV1C200MZ4T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSV1C200MZ4T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSV1C200MZ4T1G是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），具体为单个NPN型晶体管。该型号晶体管具有低饱和电压、高开关速度和良好的热稳定性等特性，适用于多种应用场景，尤其是在需要高效能和可靠性的电路中。 应用场景： 1. 电源管理： - NSV1C200MZ4T1G可用于电源管理电路中的开关应用。例如，在DC-DC转换器中，作为开关元件控制电流的通断，实现高效的电压转换。 - 在线性稳压器中，该晶体管可以用于调节输出电压，确保负载端获得稳定的电源。 2. 电机驱动： - 该晶体管适用于小型电机驱动电路，如步进电机或直流电机的驱动。通过快速开关操作，它可以有效地控制电机的启停、方向和速度。 - 在H桥电路中，多个NSV1C200MZ4T1G晶体管可以组合使用，以实现双向电机控制。 3. 信号放大： - 在音频放大器和其他模拟信号处理电路中，NSV1C200MZ4T1G可以用作放大级，提供足够的增益来放大微弱信号。 - 它还可以用于射频（RF）信号的放大，特别是在低噪声要求的应用中。 4. 保护电路： - 在过流保护电路中，NSV1C200MZ4T1G可以作为电流检测元件，当检测到异常电流时，迅速切断电路，保护后续设备免受损坏。 - 它还可以用于温度保护电路，通过监测温度变化来控制散热风扇的启动或关闭。 5. 工业自动化： - 在工业控制系统中，该晶体管可用于传感器信号的调理和传输，确保信号的准确性和可靠性。 - 它还可以用于PLC（可编程逻辑控制器）的输入输出接口，实现对外部设备的控制。 6. 消费电子： - 在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑等，NSV1C200MZ4T1G可以用于电池充电管理、背光控制等功能模块，确保设备的稳定运行。 总之，NSV1C200MZ4T1G凭借其优异的性能参数和可靠性，广泛应用于各种需要高效能、低功耗和高可靠性的电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP 100V 2A SOT223 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSV1C200MZ4T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 220mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，2V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 频率-跃迁 | 120MHz |
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