【晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列_NST847BDP6T5G】封装/厂家_NST847BDP6T5G中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > NST847BDP6T5G

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： NST847BDP6T5G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

NST847BDP6T5G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NST847BDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NST847BDP6T5G价格参考￥4.66-￥4.66。ON SemiconductorNST847BDP6T5G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN（双） 45V 100mA 100MHz 350mW 表面贴装 SOT-963。您可以下载NST847BDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NST847BDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS DUAL NPN 45V 100MA SOT963两极晶体管 - BJT DUAL NPN GP TRANS
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NST847BDP6T5G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	NST847BDP6T5G
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	600mV @ 5mA，100mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	200 @ 2mA，5V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	SOT-963
其它名称	NST847BDP6T5GOSDKR
功率-最大值	350mW
包装	Digi-Reel®
发射极-基极电压VEBO	6 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	100 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SOT-963
封装/箱体	SOT-963
工厂包装数量	8000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	2 NPN（双）
最大功率耗散	420 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.1 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	45V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	200 at 2 mA at 5 V
直流集电极/BaseGainhfeMin	200 at 2 mA at 5 V
系列	NST847BDP6
配置	Dual
集电极—发射极最大电压VCEO	45 V
集电极—基极电压VCBO	50 V
频率-跃迁	100MHz