ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > NSS60600MZ4T1G
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS60600MZ4T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS60600MZ4T1G价格参考。ON SemiconductorNSS60600MZ4T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 60V 6A 100MHz 800mW 表面贴装 SOT-223。您可以下载NSS60600MZ4T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS60600MZ4T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NSS60600MZ4T1G是一款单通道双极晶体管(BJT),其主要应用场景集中在需要高效、高可靠性开关和放大功能的电路中。具体应用如下: 1. 电源管理:该晶体管适用于各种电源管理系统,如开关电源(SMPS)、线性稳压器等。它能够提供高效的电流控制和快速响应,确保电源系统的稳定性和效率。 2. 电机驱动:在电机控制应用中,NSS60600MZ4T1G可以用于驱动小型直流电机或步进电机。它的高电流承载能力和快速开关特性使得它能够在电机启动、停止及调速过程中保持良好的性能。 3. 信号放大与处理:在音频设备、传感器接口等信号处理电路中,这款晶体管可以用作信号放大器,提供增益并改善信噪比。其低噪声特性和线性度有助于提升信号质量。 4. 保护电路:NSS60600MZ4T1G还可以用于过流保护、短路保护等安全电路设计。当检测到异常电流时,它可以迅速切断电路,防止损坏其他组件。 5. 通信设备:在无线通信模块中,该晶体管可用于射频(RF)前端电路中的功率放大和开关操作,支持高效的数据传输。 总之,NSS60600MZ4T1G凭借其优异的电气参数和可靠性,在多个领域都有广泛的应用前景,特别是在需要高性能开关和放大功能的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR PNP 6A 60V SOT-223两极晶体管 - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS60600MZ4T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NSS60600MZ4T1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 350mV @ 600mA,6A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1A,2V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=18613 |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | NSS60600MZ4T1GOSDKR |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 2000 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 6 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 6A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 |
系列 | NSS60600 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
集电极—基极电压VCBO | 100 V |
频率-跃迁 | 100MHz |