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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS60201LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS60201LT1G价格参考¥0.89-¥0.89。ON SemiconductorNSS60201LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 2A 100MHz 460mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载NSS60201LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS60201LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NSS60201LT1G是一款NPN型双极晶体管(BJT),广泛应用于各种电子设备中,尤其适用于需要高效开关和信号放大的场合。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 NSS60201LT1G常用于电源管理系统中,特别是在低功耗、高效率的直流-直流转换器(DC-DC Converter)中。它能够有效地控制电流的开关,确保电源系统的稳定性和高效性。此外,该晶体管还适用于线性稳压器中的电流调节和保护电路。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,如步进电机、直流电机等,NSS60201LT1G可以作为驱动电路中的关键元件,负责将微控制器或驱动IC输出的信号放大并传输到电机,实现对电机的精确控制。它的快速开关特性和低饱和电压有助于提高电机驱动的效率。 3. 信号放大 该晶体管适用于模拟信号放大电路,尤其是在音频放大器、传感器信号调理电路中。NSS60201LT1G具有较高的增益特性,能够在小信号放大时提供稳定的性能,同时保持较低的噪声水平。 4. 开关应用 在需要高速开关的应用场景中,例如LED驱动、继电器控制、负载开关等,NSS60201LT1G凭借其快速的开关速度和低饱和电压,能够有效减少能量损耗,延长设备的使用寿命。它还可以用于过流保护电路中,防止电路因过载而损坏。 5. 通信设备 在通信设备中,NSS60201LT1G可用于射频(RF)前端模块中的开关和放大电路,帮助实现信号的调制与解调。它的高频特性使其适合应用于无线通信、蓝牙模块等设备中。 6. 消费电子产品 该晶体管也常见于消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、智能手表等便携式设备的电源管理模块中,帮助实现高效的电源分配和管理。 总之,NSS60201LT1G以其优异的电气性能和可靠性,在多种应用场景中表现出色,特别适合对效率和响应速度有较高要求的系统设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN 4A 60V SOT-23两极晶体管 - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS60201LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NSS60201LT1G |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 140mV @ 200mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 150 @ 1A,2V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | NSS60201LT1GOSDKR |
功率-最大值 | 460mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 8 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 540 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 160 |
系列 | NSS60201LT1G |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
集电极—基极电压VCBO | 140 V |
频率-跃迁 | 100MHz |