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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS40200LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS40200LT1G价格参考¥询价-¥询价。ON SemiconductorNSS40200LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 40V 2A 100MHz 460mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载NSS40200LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS40200LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的NSS40200LT1G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于单晶体管系列。其主要应用场景包括: 1. 开关应用:NSS40200LT1G可用作电子开关,在数字电路中控制其他器件的通断状态。例如,用于继电器驱动、LED驱动或小型电机控制等场景。 2. 信号放大:该晶体管适合低功率信号放大任务,如音频信号放大、传感器信号增强等。它能够将微弱输入信号放大到更高的电平以供后续处理。 3. 电流检测与保护:在电源管理电路中,NSS40200LT1G可以用来检测过流情况并触发保护机制,确保系统安全运行。 4. 脉宽调制(PWM)控制:在需要精确调节输出功率的应用中(如直流电机速度控制或LED亮度调节),此晶体管可作为PWM信号的执行元件。 5. 线性稳压器辅助元件:在一些简单的线性稳压器设计中,该晶体管可以用作主调整管或者辅助调整管来提高效率和稳定性。 6. 通信设备中的小信号处理:由于其良好的增益特性和频率响应,NSS40200LT1G也适用于某些通信领域的低噪声放大器设计。 总之,这款晶体管凭借其高增益、低饱和电压以及紧凑封装形式,在消费电子、工业自动化、汽车电子及家用电器等多个领域都有广泛用途。选择具体应用时需根据实际需求考虑工作电压、电流承载能力等因素是否匹配。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR PNP 2A 40V SOT-23两极晶体管 - BJT LESHANBE (CN1) XTR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS40200LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NSS40200LT1G |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 170mV @ 200mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 220 @ 500mA,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | NSS40200LT1GOSDKR |
功率-最大值 | 460mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 7 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 460 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 250 |
系列 | NSS40200L |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 40 V |
集电极—基极电压VCBO | - 40 V |
集电极—射极饱和电压 | - 0.135 V |
集电极连续电流 | - 2 A |
频率-跃迁 | 100MHz |