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  • 型号: NSS40200LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSS40200LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS40200LT1G价格参考¥询价-¥询价。ON SemiconductorNSS40200LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 40V 2A 100MHz 460mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载NSS40200LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS40200LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美半导体)的NSS40200LT1G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于单晶体管系列。其主要应用场景包括:

1. 开关应用:NSS40200LT1G可用作电子开关,在数字电路中控制其他器件的通断状态。例如,用于继电器驱动、LED驱动或小型电机控制等场景。

2. 信号放大:该晶体管适合低功率信号放大任务,如音频信号放大、传感器信号增强等。它能够将微弱输入信号放大到更高的电平以供后续处理。

3. 电流检测与保护:在电源管理电路中,NSS40200LT1G可以用来检测过流情况并触发保护机制,确保系统安全运行。

4. 脉宽调制(PWM)控制:在需要精确调节输出功率的应用中(如直流电机速度控制或LED亮度调节),此晶体管可作为PWM信号的执行元件。

5. 线性稳压器辅助元件:在一些简单的线性稳压器设计中,该晶体管可以用作主调整管或者辅助调整管来提高效率和稳定性。

6. 通信设备中的小信号处理:由于其良好的增益特性和频率响应,NSS40200LT1G也适用于某些通信领域的低噪声放大器设计。

总之,这款晶体管凭借其高增益、低饱和电压以及紧凑封装形式,在消费电子、工业自动化、汽车电子及家用电器等多个领域都有广泛用途。选择具体应用时需根据实际需求考虑工作电压、电流承载能力等因素是否匹配。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR PNP 2A 40V SOT-23两极晶体管 - BJT LESHANBE (CN1) XTR

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS40200LT1G-

数据手册

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产品型号

NSS40200LT1G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

170mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

220 @ 500mA,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

NSS40200LT1GOSDKR

功率-最大值

460mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

460 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

250

系列

NSS40200L

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 40 V

集电极—基极电压VCBO

- 40 V

集电极—射极饱和电压

- 0.135 V

集电极连续电流

- 2 A

频率-跃迁

100MHz

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