ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > NSS30100LT1G
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
NSS30100LT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS30100LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS30100LT1G价格参考。ON SemiconductorNSS30100LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 30V 1A 100MHz 310mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载NSS30100LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS30100LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NSS30100LT1G是一款NPN型双极晶体管(BJT),主要应用于低电压、高效率的开关和线性放大电路中。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理 NSS30100LT1G适用于各种电源管理系统,如DC-DC转换器、线性稳压器等。它能够在低电压环境下提供高效的电流控制,确保电源系统的稳定性和可靠性。例如,在便携式设备(如智能手机、平板电脑)的充电电路中,该晶体管可以用于调节电流,防止过充或过放。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,NSS30100LT1G可以用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。由于其低饱和电压(Vce(sat)),能够减少功耗,延长电池寿命,特别适合于电池供电的电机控制系统,如玩具车、无人机等。 3. 信号放大 该晶体管也适用于信号放大电路,特别是在音频设备中。它可以将微弱的输入信号放大到足够的电平,以驱动扬声器或其他输出设备。由于其良好的线性特性,能够提供高质量的音频信号放大,减少失真。 4. 逻辑电平转换 在不同的数字系统之间进行逻辑电平转换时,NSS30100LT1G可以作为接口元件,将低电压信号转换为高电压信号,或者反之。这在嵌入式系统、传感器接口等场景中非常有用,尤其是在需要与不同电压标准的设备通信时。 5. 保护电路 该晶体管还可以用于过流保护电路中,通过检测电流大小并适时切断电路,防止损坏其他敏感元件。例如,在USB端口保护电路中,当检测到异常大电流时,NSS30100LT1G可以迅速关断电路,避免设备损坏。 总结 NSS30100LT1G凭借其低饱和电压、高增益和小封装尺寸,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。它的高效性能和可靠性使其成为许多低功耗、高性能应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANSISTOR PNP 1A 30V SOT-23两极晶体管 - BJT 2A 30V Low VCEsat |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS30100LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NSS30100LT1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 650mV @ 200mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | NSS30100LT1G-ND |
功率-最大值 | 310mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 310 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 1 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
系列 | NSS30100LT1G |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 30 V |
集电极—基极电压VCBO | - 50 V |
集电极—射极饱和电压 | - 0.65 V |
集电极连续电流 | - 1 A |
频率-跃迁 | 100MHz |