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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS20500UW3T2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS20500UW3T2G价格参考。ON SemiconductorNSS20500UW3T2G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 20V 5A 100MHz 875mW 表面贴装 3-WDFN(2x2)。您可以下载NSS20500UW3T2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS20500UW3T2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR PNP 5A 20V 3-WDFN两极晶体管 - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS20500UW3T2G- |
数据手册 | |
产品型号 | NSS20500UW3T2G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 260mV @ 400mA,4A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2A,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 3-WDFN(2x2) |
其它名称 | NSS20500UW3T2GOSCT |
功率-最大值 | 875mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 7 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 3-WDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | WDFN-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 875 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 250 |
系列 | NSS20500UW3 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 20 V |
集电极—基极电压VCBO | - 20 V |
集电极—射极饱和电压 | - 0.27 V |
集电极连续电流 | - 5 A |
频率-跃迁 | 100MHz |