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Datasheet下载- 型号： NSS20101JT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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NSS20101JT1G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS20101JT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS20101JT1G价格参考。ON SemiconductorNSS20101JT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 20V 1A 350MHz 300mW 表面贴装 SC-89-3。您可以下载NSS20101JT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSS20101JT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 20V 1A SC-89两极晶体管 - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS20101JT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSS20101JT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 220mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 100mA，2V |
| 产品种类 | Amplifiers- Operational |
| 供应商器件封装 | SC-89-3 |
| 其它名称 | NSS20101JT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 350 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 |
| 封装/箱体 | SC-89 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 10 m at 2 V, 200 at 100 mA at 2 V, 150 at 500 mA at 2 V, 100 at 1 A at 2 V |
| 系列 | NSS20101J |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 频率-跃迁 | 350MHz |
