Datasheet下载- 型号： NSS1C201MZ4T3G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS1C201MZ4T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS1C201MZ4T3G价格参考。ON SemiconductorNSS1C201MZ4T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSS1C201MZ4T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSS1C201MZ4T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的NSS1C201MZ4T3G是一款双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类型。其应用场景主要集中在低功率、小信号处理和开关功能领域，适用于以下几类电子设备和系统： 1. 信号放大 - 该晶体管可用于音频设备中的小信号放大，例如麦克风前置放大器或耳机放大器。 - 在通信设备中，可作为射频（RF）信号的低噪声放大器。 2. 开关应用 - NSS1C201MZ4T3G适合用作简单的电子开关，控制LED指示灯、小型继电器或其他低功率负载。 - 在数字电路中，可以实现逻辑电平转换或驱动外部设备。 3. 电源管理 - 在低功耗电源管理系统中，该晶体管可以用作电流限制器或保护电路的一部分，防止过流损坏其他元件。 - 适用于电池供电设备中的电量监测或充电控制电路。 4. 传感器接口 - 用于将传感器输出的小信号进行放大或缓冲，以便与微控制器或其他数字电路兼容。 - 可应用于温度传感器、光敏电阻等模拟信号处理场景。 5. 消费类电子产品 - 在家用电器（如遥控器、玩具、智能家居设备）中，用作信号传输或控制组件。 - 在便携式设备中，用于驱动小型电机或振动马达。 6. 教育与实验 - 由于其简单易用且性能稳定，该晶体管也广泛用于教学实验板和学生项目中，帮助学习者理解BJT的工作原理。 总体而言，NSS1C201MZ4T3G凭借其低功耗、高可靠性和低成本特点，非常适合需要精确控制和高效信号处理的各种中小型应用场合。具体使用时，需根据电路设计需求选择合适的偏置条件和外围元件搭配。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 100V 2A SOT223-4两极晶体管 - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS1C201MZ4T3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSS1C201MZ4T3G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 180mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 150 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 at 10 mA at 2 V, 120 at 0.5 A at 2 V, 80 at 1 A at 2 V, 40 at 2 A at 2 V |
| 系列 | NSS1C201MZ4 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 140 V |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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