ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > NSS1C200MZ4T1G
Datasheet下载- 型号： NSS1C200MZ4T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS1C200MZ4T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS1C200MZ4T1G价格参考。ON SemiconductorNSS1C200MZ4T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 100V 2A 120MHz 800mW 表面贴装 SOT-223。您可以下载NSS1C200MZ4T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSS1C200MZ4T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NSS1C200MZ4T1G是一款双极晶体管（BJT），具体为NPN型晶体管。该型号晶体管具有低饱和电压、高开关速度和出色的电流增益等特性，适用于多种应用场景。 应用场景： 1. 电源管理： - 该晶体管常用于电源管理系统中，例如DC-DC转换器、线性稳压器等。其低饱和电压特性有助于提高电源效率，减少功耗和热量产生。 2. 电机驱动： - 在小型电机驱动电路中，NSS1C200MZ4T1G可以作为开关元件，控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性能够确保电机运行的稳定性和响应速度。 3. 信号放大： - 该晶体管可用于音频放大器、传感器信号放大等应用。其高电流增益特性使得它能够在低输入信号的情况下提供足够的输出功率，从而实现有效的信号放大。 4. 开关电路： - 在数字逻辑电路和开关电源中，NSS1C200MZ4T1G可以用作开关元件。其快速开关特性和低饱和电压使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。 5. 保护电路： - 该晶体管还可以用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测电流的变化，晶体管可以在异常情况下迅速切断电路，保护其他敏感元件免受损坏。 6. 通信设备： - 在通信设备中，如调制解调器、无线发射器等，NSS1C200MZ4T1G可以用于信号处理和传输，确保信号的稳定性和可靠性。 7. 消费电子： - 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，该晶体管可以用于电池管理、充电电路、背光驱动等模块，确保设备的高效运行。 总结： NSS1C200MZ4T1G凭借其优异的电气性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、信号放大、开关电路、保护电路、通信设备以及消费电子等领域。其低饱和电压、高开关速度和高电流增益等特点，使其成为许多电路设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 100V 2A SOT223两极晶体管 - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS1C200MZ4T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSS1C200MZ4T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 220mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | NSS1C200MZ4T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 150 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 |
| 系列 | NSS1C200 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 140 V |
| 频率-跃迁 | 120MHz |
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