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Datasheet下载- 型号： NSS1C200LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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NSS1C200LT1G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS1C200LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS1C200LT1G价格参考。ON SemiconductorNSS1C200LT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 100V 2A 120MHz 490mW 表面贴装 SOT-23-3（TO-236）。您可以下载NSS1C200LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSS1C200LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的NSS1C200LT1G是一款双极型晶体管（BJT），属于晶体管 - 双极 (BJT) - 单类别。该型号的应用场景主要包括以下方面： 1. 开关应用：NSS1C200LT1G可用于各种开关电路中，例如继电器驱动、电机控制和LED驱动等。其低饱和电压和高增益特性使其在开关应用中表现出色，能够高效地控制负载。 2. 信号放大：作为一款高性能的BJT，该晶体管适用于音频放大器、射频（RF）放大器以及其他需要信号放大的场合。它能够提供稳定的增益和较低的噪声性能，适合用于音频设备和通信系统。 3. 电源管理：NSS1C200LT1G可以用于直流-直流转换器、线性稳压器和其他电源管理电路中。其出色的电流处理能力和热稳定性使其能够在电源电路中可靠运行。 4. 保护电路：该晶体管也可用于过流保护、短路保护等电路设计中。通过检测异常电流并快速响应，NSS1C200LT1G可以帮助保护系统免受损坏。 5. 消费电子：在消费电子产品中，如家用电器、音响设备和便携式电子设备，这款晶体管被广泛应用于控制和驱动功能模块。 6. 工业自动化：在工业领域，NSS1C200LT1G可用于传感器接口、过程控制和工厂自动化中的信号处理和驱动任务。 总之，NSS1C200LT1G凭借其卓越的电气特性和可靠性，适用于多种电子电路设计，特别是在需要高效开关和信号放大的场景中表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP 100V 3A SOT-23两极晶体管 - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS1C200LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSS1C200LT1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 50mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | NSS1C200LT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 490mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 710 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 150 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 at 10 mA at 2 V, 120 at 500 mA at 2 V, 80 at 1 A at 2 V, 50 at 2 A at 2 V |
| 系列 | NSS1C200L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 140 V |
| 频率-跃迁 | 120MHz |
