【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_NSS12100UW3TCG】封装/厂家_NSS12100UW3TCG中文资料_价格

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型号： NSS12100UW3TCG
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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NSS12100UW3TCG产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NSS12100UW3TCG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS12100UW3TCG价格参考￥1.80-￥1.80。ON SemiconductorNSS12100UW3TCG封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 PNP 12V 1A 200MHz 740mW 表面贴装 3-WDFN（2x2）。您可以下载NSS12100UW3TCG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSS12100UW3TCG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR PNP 1A 12V WDFN3两极晶体管 - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS12100UW3TCG-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	NSS12100UW3TCG
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	440mV @ 100mA，1A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	100 @ 500mA，2V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	3-WDFN（2x2）
其它名称	NSS12100UW3TCGOSDKR
功率-最大值	740mW
包装	Digi-Reel®
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	200 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	3-WDFN 裸露焊盘
封装/箱体	WDFN
工厂包装数量	3000
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	1100 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	1 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	12V
电流-集电极(Ic)（最大值）	1A
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	200 at 10 mA at 2 V
直流集电极/BaseGainhfeMin	200 at 10 mA at 2 V, 100 at 500 mA at 2 V, 75 at 1 A at 2 V
系列	NSS12100UW
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	12 V
集电极—基极电压VCBO	12 V
频率-跃迁	200MHz

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