ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > NSS12100M3T5G
Datasheet下载- 型号： NSS12100M3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS12100M3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS12100M3T5G价格参考。ON SemiconductorNSS12100M3T5G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 12V 1A 625mW 表面贴装 SOT-723。您可以下载NSS12100M3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSS12100M3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NSS12100M3T5G是一款单个双极晶体管（BJT），主要用于功率管理和信号放大的应用场景。以下是一些具体的应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源：NSS12100M3T5G可用于开关电源中的功率级，帮助实现高效的电压转换和调节。其高电流处理能力和低饱和压降使其适合用于DC-DC转换器、线性稳压器等电路。 - 电池充电管理：在电池充电电路中，该晶体管可以用于控制充电电流，确保电池安全充电，避免过充或过热。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：该晶体管适用于驱动小型直流电机或步进电机。它能够承受较大的电流波动，确保电机启动、运行和停止时的稳定性。 - H桥电路：在H桥电路中，NSS12100M3T5G可以作为功率输出级的一部分，用于双向控制电机的方向和速度。 3. 音频放大 - 功率放大器：在音频设备中，该晶体管可以用作功率放大器的输出级，放大音频信号并驱动扬声器。其低噪声特性和高增益有助于提供清晰的声音输出。 - 前置放大器：在一些需要高增益的前置放大器应用中，该晶体管可以用于信号放大，提升微弱信号的强度。 4. 工业自动化 - 传感器接口：在工业控制系统中，NSS12100M3T5G可以用于传感器信号的放大和调理，确保信号传输的准确性和可靠性。 - 继电器驱动：该晶体管可以用于驱动电磁继电器，控制大功率负载的通断，广泛应用于工业控制和自动化系统中。 5. 消费电子 - 智能家居设备：在智能灯泡、智能插座等设备中，该晶体管可以用于控制电源的通断，实现远程控制和定时功能。 - 便携式设备：在便携式电子产品中，如移动电源、手持设备等，该晶体管可以用于电源管理和负载控制，确保设备的高效运行。 总之，NSS12100M3T5G凭借其出色的性能和可靠性，适用于多种功率管理和信号放大的应用场景，特别是在需要高效、稳定和可靠性的电路设计中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 1A 12V SOT-723两极晶体管 - BJT 12V LOW VSAT SOT723 PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS12100M3T5G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSS12100M3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 410mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，2V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=18613 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-723 |
| 其它名称 | NSS12100M3T5GOSCT |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | SOT-723 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 10 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | NSS12100M3 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 12 V |
| 集电极连续电流 | - 1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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