ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > NSBC143ZDXV6T1G
Datasheet下载- 型号： NSBC143ZDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC143ZDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC143ZDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC143ZDXV6T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563。您可以下载NSBC143ZDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC143ZDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC143ZDXV6T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管 (BJT) 阵列，属于预偏置类型。这种器件通常用于需要高精度、低噪声和稳定性能的应用场景。以下是该型号可能的应用领域及其特点： 1. 信号放大 - 应用场景：音频设备、传感器信号调理、医疗电子中的低噪声放大。 - 特点：NSBC143ZDXV6T1G 的预偏置设计使其能够提供稳定的增益和低失真特性，适合对信号质量要求较高的应用。 2. 开关电路 - 应用场景：电源管理模块、逻辑电平转换、继电器驱动。 - 特点：该晶体管阵列支持多个独立通道，可以同时控制多个负载或开关操作，提高系统集成度。 3. 模拟电路设计 - 应用场景：运算放大器、比较器、滤波器等模拟电路的构建。 - 特点：其双极型结构和预偏置功能使它在模拟电路中表现出优异的线性和动态范围。 4. 通信设备 - 应用场景：无线通信模块、射频前端电路。 - 特点：适用于高频信号处理，能够提供稳定的电流增益和良好的频率响应。 5. 工业控制 - 应用场景：电机驱动、工业自动化系统中的信号传输与控制。 - 特点：具备较高的可靠性和耐用性，能够在恶劣环境下长时间运行。 6. 消费电子产品 - 应用场景：家用电器、便携式设备中的功率调节和信号处理。 - 特点：体积小、功耗低，适合对空间和能效有严格要求的消费类应用。 总结 NSBC143ZDXV6T1G 的主要优势在于其预偏置设计和多通道集成能力，这使得它非常适合需要高性能、高稳定性和紧凑设计的应用场景。无论是消费电子、工业控制还是通信设备，这款晶体管阵列都能提供可靠的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563开关晶体管 - 偏压电阻器 SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor NSBC143ZDXV6T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSBC143ZDXV6T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC143ZDXV6T1GOSCT |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | NSBC143ZDXV6 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | - |
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