ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > NSBC114TDXV6T1G
Datasheet下载- 型号： NSBC114TDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114TDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114TDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC114TDXV6T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563。您可以下载NSBC114TDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC114TDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC114TDXV6T1G 是由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的双极晶体管 (BJT) 阵列，属于预偏置类型。这种器件广泛应用于需要高精度电流控制和信号放大的电路中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 模拟电路设计 NSBC114TDXV6T1G 适用于各种模拟电路设计，如音频放大器、传感器接口和信号调理电路。其预偏置特性使得它在这些应用中能够提供稳定的增益和线性度，确保信号传输的准确性。 2. 电源管理 在电源管理电路中，该器件可以用于稳压器、DC-DC转换器等。由于其低功耗和高效率，NSBC114TDXV6T1G 可以帮助实现更紧凑、高效的电源解决方案，特别适合便携式设备和电池供电系统。 3. 电机驱动 对于小型电机驱动应用，NSBC114TDXV6T1G 能够提供精确的电流控制，确保电机平稳运行。它还可以用于步进电机和伺服电机的驱动电路中，提高系统的响应速度和稳定性。 4. 工业自动化 在工业控制系统中，该器件常用于信号隔离和放大。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）中，NSBC114TDXV6T1G 可以用于处理来自传感器的微弱信号，并将其放大到合适的电平，以便进一步处理。 5. 通信设备 通信设备中的射频 (RF) 前端模块可能需要使用 NSBC114TDXV6T1G 来进行信号放大和调制。其宽频率范围和低噪声特性使其成为高频通信应用的理想选择。 6. 消费电子 在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和其他便携式设备，NSBC114TDXV6T1G 可用于音频放大、背光驱动等功能，提供高质量的音频输出和稳定的显示效果。 总之，NSBC114TDXV6T1G 凭借其高性能和可靠性，广泛应用于多种领域，特别是在需要高精度电流控制和信号放大的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V Dual NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor NSBC114TDXV6T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSBC114TDXV6T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC114TDXV6T1GOSDKR |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 357 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 160 |
| 系列 | NSBC114TDXV6 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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