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NSBC114EDXV6T1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114EDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114EDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC114EDXV6T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563。您可以下载NSBC114EDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBC114EDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC114EDXV6T1G 是由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款双极晶体管 (BJT) 阵列,属于预偏置类型。这款器件的应用场景非常广泛,特别是在需要多个双极晶体管协同工作的电路设计中。以下是该型号的具体应用场景: 1. 音频放大器 NSBC114EDXV6T1G 可用于音频放大器的前置放大级或功率输出级。由于其预偏置特性,能够简化电路设计,减少外部元件的数量,同时保证稳定的偏置电压,确保音频信号的线性放大,降低失真。 2. 模拟开关和多路复用器 在模拟信号处理中,NSBC114EDXV6T1G 可以作为模拟开关使用,尤其适用于多路复用器的设计。通过控制晶体管的导通与截止状态,可以实现不同信号通道之间的切换,适合用于通信设备、测试仪器等场合。 3. 电源管理 该器件可以用于电源管理电路中,例如在稳压器、电流源或负载开关中。预偏置功能使得晶体管能够在特定的工作点上稳定工作,从而提高电源效率并减少功耗。 4. 传感器接口 在传感器接口电路中,NSBC114EDXV6T1G 可以用于信号调理电路,如电流-电压转换、增益调节等。其低噪声和高增益特性使其非常适合处理微弱的传感器信号,确保信号的准确性和稳定性。 5. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,NSBC114EDXV6T1G 可以用于驱动电路中的电流放大级。它能够提供足够的驱动电流,并且通过预偏置设计,确保电机启动和运行时的稳定性。 6. 保护电路 该器件还可以用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测电流的变化,NSBC114EDXV6T1G 可以快速响应并切断电路,防止过载损坏其他元器件。 7. 温度补偿电路 由于双极晶体管对温度敏感,NSBC114EDXV6T1G 可用于温度补偿电路中,通过调整偏置电压来抵消温度变化对电路性能的影响,确保系统在不同温度下的稳定工作。 总的来说,NSBC114EDXV6T1G 的预偏置特性使其在多种应用场景中表现出色,特别适合需要多个晶体管协同工作的复杂电路设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V Dual NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor NSBC114EDXV6T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NSBC114EDXV6T1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | Transistors Bipolar- Bias Resistor |
供应商器件封装 | SOT-563 |
其它名称 | NSBC114EDXV6T1GOS |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 10 kOhms |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 357 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-563-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 100 mA |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 4,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 35 |
系列 | NSBC114EDXV6 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | - |