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  • 型号: NSBC114EDXV6T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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NSBC114EDXV6T1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114EDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114EDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC114EDXV6T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563。您可以下载NSBC114EDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBC114EDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NSBC114EDXV6T1G 是由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款双极晶体管 (BJT) 阵列,属于预偏置类型。这款器件的应用场景非常广泛,特别是在需要多个双极晶体管协同工作的电路设计中。以下是该型号的具体应用场景:

 1. 音频放大器
   NSBC114EDXV6T1G 可用于音频放大器的前置放大级或功率输出级。由于其预偏置特性,能够简化电路设计,减少外部元件的数量,同时保证稳定的偏置电压,确保音频信号的线性放大,降低失真。

 2. 模拟开关和多路复用器
   在模拟信号处理中,NSBC114EDXV6T1G 可以作为模拟开关使用,尤其适用于多路复用器的设计。通过控制晶体管的导通与截止状态,可以实现不同信号通道之间的切换,适合用于通信设备、测试仪器等场合。

 3. 电源管理
   该器件可以用于电源管理电路中,例如在稳压器、电流源或负载开关中。预偏置功能使得晶体管能够在特定的工作点上稳定工作,从而提高电源效率并减少功耗。

 4. 传感器接口
   在传感器接口电路中,NSBC114EDXV6T1G 可以用于信号调理电路,如电流-电压转换、增益调节等。其低噪声和高增益特性使其非常适合处理微弱的传感器信号,确保信号的准确性和稳定性。

 5. 电机驱动
   在小型电机驱动应用中,NSBC114EDXV6T1G 可以用于驱动电路中的电流放大级。它能够提供足够的驱动电流,并且通过预偏置设计,确保电机启动和运行时的稳定性。

 6. 保护电路
   该器件还可以用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测电流的变化,NSBC114EDXV6T1G 可以快速响应并切断电路,防止过载损坏其他元器件。

 7. 温度补偿电路
   由于双极晶体管对温度敏感,NSBC114EDXV6T1G 可用于温度补偿电路中,通过调整偏置电压来抵消温度变化对电路性能的影响,确保系统在不同温度下的稳定工作。

总的来说,NSBC114EDXV6T1G 的预偏置特性使其在多种应用场景中表现出色,特别适合需要多个晶体管协同工作的复杂电路设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V Dual NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor NSBC114EDXV6T1G-

数据手册

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产品型号

NSBC114EDXV6T1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 300µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

35 @ 5mA,10V

产品目录页面

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产品种类

Transistors Bipolar- Bias Resistor

供应商器件封装

SOT-563

其它名称

NSBC114EDXV6T1GOS
NSBC114EDXV6T1GOS-ND
NSBC114EDXV6T1GOSTR

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

500mW

功率耗散

357 mW

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-563-6

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

4000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 个 NPN 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

100 mA

最小工作温度

- 55 C

标准包装

4,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

直流集电极/BaseGainhfeMin

35

系列

NSBC114EDXV6

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

-

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