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Datasheet下载- 型号： NP160N055TUJ-E1-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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NP160N055TUJ-E1-AY产品简介：
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NP160N055TUJ-E1-AY |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 毫欧 @ 80A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263-7 |
| 其它名称 | NP160N055TUJ-E1-AY-ND |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片） |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 160A （Tc） |
