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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NOJB336M006RWJ由AVX设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NOJB336M006RWJ价格参考。AVXNOJB336M006RWJ封装/规格:氧化铌电容器, 33µF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 1411 (3528 Metric), 1210 1.7 Ohms。您可以下载NOJB336M006RWJ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NOJB336M006RWJ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AVX Corporation的NOJB336M006RWJ是一款氧化铌电容器,属于钽电容器的一种替代品,具有较高的可靠性和稳定性。该型号的电容器主要应用于需要高可靠性、低等效串联电阻(ESR)和长寿命的电路中。 应用场景: 1. 电源滤波与稳压: NOJB336M006RWJ电容器常用于电源电路中的滤波和稳压环节。其稳定的电容值和低ESR特性能够有效抑制电源噪声,确保输出电压的稳定。特别是在开关电源、线性电源等场合,这款电容器可以提供优异的滤波效果,减少纹波电压,提升电源系统的整体性能。 2. 去耦与旁路: 在高频电路中,NOJB336M006RWJ电容器可以用作去耦电容或旁路电容。它能够快速响应瞬态电流变化,消除高频噪声,保证信号的完整性。例如,在数字电路、微处理器、FPGA等高速逻辑电路中,这款电容器可以有效地抑制电源噪声,防止信号干扰,确保系统的稳定运行。 3. 储能与能量释放: 氧化铌电容器具有较高的能量密度,适用于需要短时间大电流放电的应用场景。例如,在脉冲电源、激光器驱动电路、闪光灯电路等场合,NOJB336M006RWJ电容器可以在短时间内释放大量能量,满足瞬时大功率需求。 4. 汽车电子系统: 由于其出色的温度特性和抗振动能力,NOJB336M006RWJ电容器在汽车电子系统中也有广泛应用。例如,在发动机控制单元(ECU)、车载信息娱乐系统、安全气囊控制系统等关键部件中,这款电容器能够承受严苛的工作环境,确保系统的可靠性和安全性。 5. 工业自动化与控制: 在工业自动化设备中,NOJB336M006RWJ电容器可用于电机驱动器、变频器、PLC等设备的电源管理和信号处理电路中。其高可靠性和长寿命特性使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作,减少维护成本。 总的来说,AVX Corporation的NOJB336M006RWJ氧化铌电容器凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种对性能要求较高的电子产品和系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 电容器无源元件 |
描述 | CAP NIOB OXIDE 33UF 6.3V 1210铌氧化物电容器 6.3volts 33uF 20% |
ESR | 1.7 Ohms |
ESR(等效串联电阻) | 1.7 欧姆 |
产品分类 | 氧化铌电容器电容器 |
品牌 | AVX |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 铌氧化物电容器,AVX NOJB336M006RWJOxiCap® NOJ |
数据手册 | |
产品型号 | NOJB336M006RWJ |
产品 | Niobium Oxide Capacitors |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=2962http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=14046http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=21795 |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 铌氧化物电容器 |
其它名称 | 478-3215-2 |
制造商尺寸代码 | B |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | AVX |
商标名 | Oxicap |
外壳宽度 | 2.8 mm |
外壳长度 | 3.5 mm |
外壳高度 | 2.1 mm |
安装类型 | 表面贴装 |
容差 | 20 % |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 1210(3528 公制) |
封装/箱体 | 1210 (3528 metric) |
工作温度 | -55°C ~ 105°C |
工作温度范围 | - 55 C to + 105 C |
工厂包装数量 | 2000 |
标准包装 | 2,000 |
漏泄电流 | 4 uA |
特性 | - |
电压-额定 | 6.3V |
电压额定值 | 6.3 V |
电容 | 33 uF |
电流-漏泄 | 4µA |
端接类型 | SMD/SMT |
类型 | Low Profile Niobium Oxide Capacitor |
系列 | NOJ |
纹波电流 | 0.245 A |
耗散因数 | 6% |
高度 | 2.1 mm |
高度-安装(最大值) | 0.083"(2.10mm) |