Datasheet下载- 型号： NMLU1210TWG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NMLU1210TWG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NMLU1210TWG价格参考。ON SemiconductorNMLU1210TWG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NMLU1210TWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NMLU1210TWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC FULL BRIDGE RECT 8-UDFNMOSFET Dual N-Channel Full BridgeRectifierUDFN8 |
| 产品分类 | 桥式整流器分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NMLU1210TWG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NMLU1210TWG |
| Pd-PowerDissipation | 1.2 W |
| Pd-功率耗散 | 1.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 二极管类型 | 单相，肖特基 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-UDFN（4x4） |
| 功率耗散 | 1.2 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 17 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | Case 517BS |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 3.5 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 2.2 A |
| 电压-峰值反向（最大值） | 20V |
| 电流-DC正向(If) | 1.16A |
| 系列 | NMLU1210 |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 10 V |
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