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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN 16A 250V 200W TO-3P两极晶体管 - BJT 200W NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NJW21194G- |
数据手册 | |
产品型号 | NJW21194G |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 4V @ 3.2A,16A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 8A,5V |
产品种类 | Transistors Bipolar- Audio |
供应商器件封装 | TO-3P |
其它名称 | NJW21194G-ND |
功率-最大值 | 200W |
包装 | 管件 |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 4 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/箱体 | TO-3P |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 200 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 16 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 250V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 16A |
电流-集电极截止(最大值) | 100µA |
直流电流增益hFE最大值 | 20 at 8 A at 5 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
系列 | NJW21194 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 250 V |
集电极—基极电压VCBO | 400 V |
频率-跃迁 | 4MHz |