ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > NJVMJD350T4G
Datasheet下载- 型号： NJVMJD350T4G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NJVMJD350T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVMJD350T4G价格参考。ON SemiconductorNJVMJD350T4G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 300V 500mA 10MHz 1.56W 表面贴装 DPAK。您可以下载NJVMJD350T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NJVMJD350T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NJVMJD350T4G 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其主要应用场景集中在需要高效、快速开关和低导通电阻的电路中。以下是该元器件的一些典型应用场景： 1. 电源管理 NJVMJD350T4G 广泛应用于各种电源管理系统，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）等。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效降低功耗，提高电源转换效率。在这些应用中，MOSFET 作为开关元件，控制电流的通断，确保电源系统的稳定性和高效性。 2. 电机驱动 在电机驱动电路中，NJVMJD350T4G 可用于控制电机的启停、调速和转向。它能够承受较大的电流波动，并且具有较快的开关速度，适合应用于步进电机、无刷直流电机（BLDC）等场合。通过精确控制栅极电压，可以实现对电机的高效控制，减少能耗并提高响应速度。 3. 电池管理系统 在电池管理系统（BMS）中，NJVMJD350T4G 可以用作保护开关，防止电池过充、过放或短路等情况的发生。它的低导通电阻有助于减少电池内部的发热，延长电池寿命。此外，它还可以用于电池包中的均衡电路，确保各节电池的电压保持一致，提高整个电池组的性能。 4. 负载切换与保护 NJVMJD350T4G 还可用于负载切换电路中，例如在汽车电子、工业控制系统等领域。它可以在短时间内迅速切断或接通负载，确保系统在异常情况下的安全运行。同时，它还可以与其他保护电路配合使用，提供过流、过温等多重保护功能。 5. 通信设备 在通信设备中，NJVMJD350T4G 可用于信号放大、功率调节等环节。其高速开关特性和良好的线性度使其成为射频（RF）电路中的理想选择，能够有效提升信号传输的质量和稳定性。 总之，NJVMJD350T4G 凭借其出色的电气性能和可靠性，在多个领域得到了广泛应用，特别是在需要高效开关和低功耗的场景中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS BIP PNP 0.5A 300V DPAK-4两极晶体管 - BJT BIP PNP 0.5A 300V TR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NJVMJD350T4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NJVMJD350T4G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 50mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 10 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 15 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 240 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 系列 | MJD350 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 300 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 300 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 10MHz |
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