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Datasheet下载- 型号： NJVMJD122T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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NJVMJD122T4G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NJVMJD122T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVMJD122T4G价格参考。ON SemiconductorNJVMJD122T4G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 4MHz 1.75W Surface Mount DPAK。您可以下载NJVMJD122T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NJVMJD122T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 8A 100V DPAK达林顿晶体管 BIP DPAK NPN 8A 100V TR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor NJVMJD122T4G- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NJVMJD122T4G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 4V @ 8A，80mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 1000 @ 4A，4V |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NJVMJD122T4GOSCT |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 10µA |
| 系列 | MJD122 |
| 频率-跃迁 | - |
