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  • 型号: NJVMJD112G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NJVMJD112G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVMJD112G价格参考。ON SemiconductorNJVMJD112G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NJVMJD112G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NJVMJD112G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN BIP 2A 100V DPAK-4

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NJVMJD112G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

3V @ 40mA,4A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

1000 @ 2A,3V

供应商器件封装

*

功率-最大值

1.75W

包装

*

安装类型

*

封装/外壳

*

晶体管类型

NPN - 达林顿

标准包装

75

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

20µA

频率-跃迁

25MHz

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