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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NJVMJD112G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVMJD112G价格参考。ON SemiconductorNJVMJD112G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NJVMJD112G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NJVMJD112G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS NPN BIP 2A 100V DPAK-4 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NJVMJD112G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3V @ 40mA,4A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 1000 @ 2A,3V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 1.75W |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
标准包装 | 75 |
电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
电流-集电极截止(最大值) | 20µA |
频率-跃迁 | 25MHz |