ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > NJVBDX53C
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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NJVBDX53C
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NJVBDX53C由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVBDX53C价格参考。ON SemiconductorNJVBDX53C封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 100V 8A 65W 通孔 TO-220AB。您可以下载NJVBDX53C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NJVBDX53C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DARL NPN 8A 100V TO-220AB |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NJVBDX53C |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 2V @ 12mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 750 @ 3A，3V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 65W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500µA |
| 频率-跃迁 | - |
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