ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > NJT4031NT1G
Datasheet下载- 型号： NJT4031NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NJT4031NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJT4031NT1G价格参考￥0.74-￥0.75。ON SemiconductorNJT4031NT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 40V 3A 215MHz 2W 表面贴装 SOT-223。您可以下载NJT4031NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NJT4031NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NJT4031NT1G是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款单晶体管 - 双极 (BJT)，具体型号为NPN型晶体管。它在多个应用场景中具有广泛的应用，特别是在需要高效能、低功耗和高可靠性的电路设计中。 1. 电源管理 NJT4031NT1G常用于电源管理系统中，如线性稳压器、开关电源等。其低饱和电压和高电流增益特性使其能够在电源管理应用中提供高效的电流控制，减少功率损耗，提高整体效率。例如，在电池供电设备中，它可以用于调节输出电压，确保设备稳定运行。 2. 信号放大 该晶体管还适用于各种信号放大的场景，如音频放大器、传感器信号放大等。NJT4031NT1G的高增益特性使得它能够有效地放大微弱信号，同时保持较低的噪声水平，确保信号的清晰度和稳定性。在音频设备中，它可以用于前置放大器，提升音质表现。 3. 开关应用 作为一种NPN型晶体管，NJT4031NT1G也可以作为开关元件使用。它可以在数字电路中充当开关角色，用于控制负载的通断。例如，在LED驱动电路中，它可以用来控制LED的亮灭，或者在电机控制电路中，用于驱动小型电机的启动和停止。 4. 保护电路 在一些保护电路中，NJT4031NT1G可以用于过流保护、短路保护等功能。通过检测电流的变化，它可以快速响应并切断电流路径，防止电路过载或损坏。这种特性在工业控制系统、家用电器等领域尤为重要。 5. 温度传感与控制 由于BJT的基极-发射极电压随温度变化而变化，NJT4031NT1G还可以用于温度传感和控制电路中。通过监测基极-发射极电压的变化，可以实现对环境温度的精确测量，并根据温度变化调整电路的工作状态。 总之，NJT4031NT1G凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、信号放大、开关控制、保护电路以及温度传感等多种场景，满足了不同领域对高性能晶体管的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 40V BIPOLAR SOT223两极晶体管 - BJT NPN 40V LO SAT BP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NJT4031NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NJT4031NT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 300mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1A，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | NJT4031NT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 215 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 220 |
| 系列 | NJT4031N |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 频率-跃迁 | 215MHz |
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