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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NIS5112D2R2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NIS5112D2R2G价格参考。ON SemiconductorNIS5112D2R2G封装/规格:PMIC - 稳流/电流管理, Electronic Fuse Regulator 2A 8-SOIC。您可以下载NIS5112D2R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NIS5112D2R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NIS5112D2R2G 是一款由 Vishay 公司生产的双向 TVS(瞬态电压抑制)二极管,主要应用于电路的过电压保护。它具有快速响应时间和低箝位电压特性,能够在短时间内吸收和耗散瞬态浪涌能量,从而保护敏感电子设备免受损坏。 应用场景 1. 电源线保护: 在交流或直流电源输入端使用 NIS5112D2R2G 可以有效防止雷击、静电放电(ESD)和其他瞬态过电压事件对电源电路造成损害。适用于家用电器、工业设备和消费电子产品的电源保护。 2. 信号线保护: 对于通信接口(如 USB、RS-232、RS-485 等)和传感器信号线,NIS5112D2R2G 可以提供可靠的保护,防止外部干扰和瞬态电压波动对信号传输的影响。常见于计算机外设、网络设备和自动化控制系统中。 3. 汽车电子系统: 汽车环境中的电气系统容易受到电池电压波动、负载突降和其他电气干扰的影响。NIS5112D2R2G 能够保护车载电子模块(如 ECU、传感器、照明系统等)免受这些瞬态事件的损害,确保系统的稳定性和可靠性。 4. 工业控制与自动化: 工业环境中存在大量的电磁干扰源,如电机启动、开关操作等。NIS5112D2R2G 可用于保护 PLC、变频器、伺服驱动器等关键设备的输入输出接口,提高系统的抗干扰能力和稳定性。 5. 消费电子产品: 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中,NIS5112D2R2G 可以用于保护充电接口、耳机插孔和其他外部连接点,防止静电放电和瞬态电压对内部电路的破坏。 6. 医疗设备: 医疗设备对可靠性和安全性要求极高。NIS5112D2R2G 可以用于保护患者监护仪、超声波设备、心电图机等医疗仪器的信号输入输出端口,确保设备在复杂电磁环境中正常工作。 总之,NIS5112D2R2G 以其优异的过电压保护性能,在多个领域得到了广泛应用,为各种电子设备提供了可靠的保护。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC ELECTRONIC FUSE HOTSWAP 8SOIC热交换电压控制器 PM ELCTRNC FUSE IN SO8 |
产品分类 | PMIC - 稳流/电流管理集成电路 - IC |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 电源管理 IC,热交换电压控制器,ON Semiconductor NIS5112D2R2G- |
数据手册 | |
产品型号 | NIS5112D2R2G |
产品种类 | 热交换电压控制器 |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | NIS5112D2R2GOSDKR |
功能 | 电子保险丝 |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工作温度 | -40°C ~ 175°C |
工作温度范围 | - 40 C to + 175 C |
工厂包装数量 | 2500 |
感应方法 | - |
标准包装 | 1 |
电压-输入 | 9 V ~ 18 V |
电流-输出 | 2A |
电源电压-最大 | 18 V |
电源电压-最小 | 9 V |
精度 | - |
系列 | NIS5112 |
通道数量 | 1 Channel |