ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > NIF9N05CLT3G
Datasheet下载- 型号： NIF9N05CLT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NIF9N05CLT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NIF9N05CLT3G价格参考。ON SemiconductorNIF9N05CLT3G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 59V 2.6A（Ta） 1.69W（Ta） SOT-223。您可以下载NIF9N05CLT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NIF9N05CLT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NIF9N05CLT3G是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：该MOSFET适用于各种电源管理电路，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、线性稳压器等。它能够在高频率下高效地进行开关操作，从而提高电源转换效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动：在小型电机控制中，NIF9N05CLT3G可以作为开关元件用于PWM调速或方向控制。例如，在风扇、水泵或其他家用电器中的直流无刷电机控制系统里，它可以提供稳定的电流输出以确保电机平稳运行。 3. 负载切换与保护：此型号的MOSFET也常被用来实现负载的快速接通和断开功能，比如在汽车电子设备中对车灯、雨刷等部件的供电路径进行控制；同时还可以起到过流保护的作用，当检测到异常大电流时迅速切断电路以防止损坏其他元器件。 4. 通信设备及消费类电子产品：手机充电器、笔记本电脑适配器、USB PD快充模块等产品内部也会用到这类低导通电阻且具备良好热性能的MOSFET来优化整体设计并满足严格的能效标准。 5. 工业自动化领域：PLC控制器、传感器接口板卡以及智能仪表等工业级应用场合同样离不开高性能的MOSFET，它们需要能够承受恶劣环境条件下的持续工作压力，并保持长时间稳定可靠的电气特性。 总之，NIF9N05CLT3G凭借其优异的电气参数和可靠性表现，广泛应用于上述各类需要高效开关操作及精密电流控制的应用场景之中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223MOSFET 52V 2.6A N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.6 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NIF9N05CLT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NIF9N05CLT3G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.69 W |
| Pd-功率耗散 | 1.69 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 107 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 107 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 52 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 52 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| 上升时间 | 1418 ns, 1165 ns, 290 ns |
| 下降时间 | 1418 ns, 1165 ns, 290 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 35V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 2.6A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | NIF9N05CLT3GOS |
| 典型关闭延迟时间 | 780 ns, 906 ns, 1540 ns |
| 功率-最大值 | 1.69W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 3.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 52V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.6A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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