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详细数据请看参考数据手册

型号： NIF9N05CLT3
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NIF9N05CLT3由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NIF9N05CLT3价格参考。ON SemiconductorNIF9N05CLT3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 52V 2.6A（Ta） 1.69W（Ta） SOT-223。您可以下载NIF9N05CLT3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NIF9N05CLT3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NIF9N05CLT3是ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别的产品。以下是该型号的应用场景：

1. 开关电源和DC-DC转换器：
   NIF9N05CLT3具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于各种开关电源和DC-DC转换器电路中。其低导通电阻可以减少传导损耗，提高效率，尤其适合低压、大电流应用。

2. 电机控制：
   该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。它的低导通电阻和快速开关速度有助于实现高效的电机控制，同时降低发热，延长器件寿命。

3. 负载切换：
   在需要频繁切换负载的场合，如汽车电子、工业自动化设备等，NIF9N05CLT3可以用作负载开关。其低导通电阻和快速响应时间确保了高效且可靠的负载切换。

4. 电池管理系统：
   该MOSFET可用于电池管理系统的保护电路中，例如过流保护、短路保护等。其低导通电阻可以减少功耗，提高电池使用效率。

5. 消费电子产品：
   在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，NIF9N05CLT3可以用于电源管理、充电电路和背光驱动等。其紧凑的封装和低导通电阻使其非常适合这些便携式设备。

6. 通信设备：
   在通信基站、路由器等设备中，NIF9N05CLT3可用于电源管理和信号处理电路中，提供高效、稳定的性能。

7. 工业控制系统：
   在工业控制系统中，NIF9N05CLT3可以用于驱动传感器、执行器和其他外围设备。其高可靠性和快速响应特性使其在工业环境中表现出色。

总之，NIF9N05CLT3凭借其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，广泛应用于各种电力电子设备和系统中，特别适合需要高效、低损耗和快速响应的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NIF9N05CLT3
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	250pF @ 35V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	7nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	125 毫欧 @ 2.6A，10V
供应商器件封装	SOT-223
其它名称	NIF9N05CLT3OS
功率-最大值	1.69W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
标准包装	4,000
漏源极电压(Vdss)	52V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	2.6A （Ta）