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详细数据请看参考数据手册

型号： NIF9N05CLT1
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NIF9N05CLT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NIF9N05CLT1价格参考。ON SemiconductorNIF9N05CLT1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 52V 2.6A（Ta） 1.69W（Ta） SOT-223。您可以下载NIF9N05CLT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NIF9N05CLT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NIF9N05CLT1是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款单通道N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用场景。

 应用场景

1. 电源管理：
   - 开关电源（SMPS）：NIF9N05CLT1的低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度使其非常适合用于高效能的开关电源设计。它可以在高频条件下工作，减少能量损失，提高转换效率。
   - DC-DC转换器：该MOSFET可以作为同步整流器中的下管或上管，帮助实现高效的电压转换，广泛应用于笔记本电脑、服务器和其他便携式设备中。

2. 电机驱动：
   - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电机控制应用中，NIF9N05CLT1可以用作功率级的一部分，提供高效的电流切换，确保电机运行平稳且能耗低。
   - 步进电机驱动：该MOSFET能够承受较高的电流脉冲，适合用于步进电机的驱动电路，保证电机精确控制和快速响应。

3. 电池管理系统（BMS）：
   - 电池保护电路：NIF9N05CLT1可用于电池组的充放电保护电路中，防止过流、短路等异常情况，确保电池的安全性和寿命。
   - 电量监测：通过精确控制充电和放电路径，该MOSFET有助于实现更准确的电量监测和管理。

4. 消费电子产品：
   - 智能手机和平板电脑：在这些设备中，NIF9N05CLT1可以用于电源管理和负载开关，确保设备在不同工作模式下的稳定供电。
   - 智能家居设备：如智能灯泡、智能插座等，该MOSFET可以实现对负载的有效控制，提升产品的可靠性和用户体验。

5. 工业自动化：
   - 可编程逻辑控制器（PLC）：在工业控制系统中，NIF9N05CLT1可以用于驱动各种传感器和执行器，确保信号传输的准确性和稳定性。
   - 工厂自动化设备：例如机器人手臂、传送带等设备的驱动电路中，该MOSFET能够提供可靠的功率输出，满足工业环境的需求。

总之，NIF9N05CLT1凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各类需要高效功率控制和转换的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NIF9N05CLT1
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	250pF @ 35V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	7nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	125 毫欧 @ 2.6A，10V
供应商器件封装	SOT-223
其它名称	NIF9N05CLT1OSCT
功率-最大值	1.69W
包装	剪切带（CT）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	52V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	2.6A （Ta）