Datasheet下载- 型号： NID9N05CLT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NID9N05CLT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NID9N05CLT4G价格参考。ON SemiconductorNID9N05CLT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NID9N05CLT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NID9N05CLT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH CLAMP 9A 52V DPAKMOSFET 52V 9A N-Channel |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NID9N05CLT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NID9N05CLT4G |
| Pd-PowerDissipation | 1.74 W |
| Pd-功率耗散 | 1.74 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 52 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 52 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| 上升时间 | 500 ns |
| 下降时间 | 1800 ns |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NID9N05CLT4GOSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 2.5 us |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 153 毫欧 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 24 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 52 V |
| 漏极连续电流 | 9 A |
| 电压-电源 | - |
| 电流-峰值输出 | 9A |
| 电流-输出/通道 | - |
| 类型 | 低端 |
| 系列 | NID9N05CL |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 1 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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