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  • 型号: NGTG30N60FWG
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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NGTG30N60FWG产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NGTG30N60FWG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTG30N60FWG价格参考。ON SemiconductorNGTG30N60FWG封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench 600V 60A 167W Through Hole TO-247。您可以下载NGTG30N60FWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NGTG30N60FWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

81ns/190ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

120A

描述

IGBT 600V 60A 167W TO247IGBT 晶体管 600V/30A IGBT NPT TO-247

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

170nC

IGBT类型

沟道

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTG30N60FWG-

mouser_ship_limit

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产品型号

NGTG30N60FWG

SwitchingEnergy

650µJ (开), 650µJ (关)

TestCondition

400V, 30A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.7V @ 15V,30A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247

其它名称

NGTG30N60FWGOS

功率-最大值

167W

功率耗散

167 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

商标

ON Semiconductor

在25C的连续集电极电流

60 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

30 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

60A

系列

NGTG30N60FWG

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

1.45 V

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