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  • 型号: NGTG30N60FLWG
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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NGTG30N60FLWG产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NGTG30N60FLWG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供NGTG30N60FLWG价格参考以及ON SemiconductorNGTG30N60FLWG封装/规格参数等产品信息。 你可以下载NGTG30N60FLWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有NGTG30N60FLWG详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

83ns/170ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

120A

描述

IGBT 600V 60A 250W TO247IGBT 晶体管 600V/30A IGBT LPT TO-247

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

170nC

IGBT类型

沟道和场截止

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTG30N60FLWG-

mouser_ship_limit

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产品型号

NGTG30N60FLWG

SwitchingEnergy

700µJ (开), 280µJ (关)

TestCondition

400V, 30A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.9V @ 15V,30A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247

其它名称

NGTG30N60FLWGOS

功率-最大值

250W

功率耗散

250 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

商标

ON Semiconductor

在25C的连续集电极电流

60 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

30 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

60A

系列

NGTG30N60FLWG

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

1.65 V

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