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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTG12N60TF1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTG12N60TF1G价格参考¥询价-¥询价。ON SemiconductorNGTG12N60TF1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NGTG12N60TF1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NGTG12N60TF1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 55ns/200ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 88A |
描述 | IGBT 600V 24A 54W TO-3PFIGBT 晶体管 600V 12A IGBT TO-3PF |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 84nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTG12N60TF1G- |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | |
产品型号 | NGTG12N60TF1G |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | 300V, 15A, 30 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.6V @ 15V, 12A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | * |
其它名称 | NGTG12N60TF1GOS |
功率-最大值 | 54W |
功率耗散 | 54 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | ON Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 24 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Ammo Pack |
封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |
封装/箱体 | TO-3PF-3L |
工厂包装数量 | 30 |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 24A |
系列 | NGTG12N60TF1G |
输入类型 | 标准 |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |